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電子電信技術 電子電信技術 一般性問題
 
 
 
 
一維納米電子技術
 作  者: 彭英才/王英龍
 出版單位: 化學工業
 出版日期: 2016.01
 進貨日期: 2016/7/14
 ISBN: 9787122248459
 開  本: 16 開    
 定  價: 510
 售  價: 408
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內容簡介:

一維納米電子技術是納米科學技術中的重要分支 ,其在電子、光電子、資料存儲、通信、生物、醫學 、能源、交通與國家安全等領域有重要應用價值,具 有很好的發展前景。
彭英才、王英龍編*的《一維納米電子技術》全 面、系統地介紹了各種納米線的製備方法,納米線的 生長機制,納米線的形貌特徵與可控生長,納米線的 電子性質,以及納米線場效應器件、納米線場發射器 件、納米線感測器件、納米線發光器件、納米線光伏 器件、納米線太陽電池等*新應用技術、現狀及其研 究進展。
本書可供從事納米科學技術領域研究與開發的科 技工作者,以及納米半導體技術、納米光電子技術和 光伏器件製作的科技工作者和技術人員參考,同時可 作為高等學校相關專業教師、研究生和本科生的教學 參考用書。


作者簡介:

彭英才,河北大學材料學院,教授,博導,副主任,近三十年來,主要從事各類新材料和新型半導體材料技術領域的教學、科研與學科建設工作,先後承擔博士研究生、碩士研究生與本科生的多門專業課,主持各種科研專案幾十項,在國內外期刊發表學術論文150餘篇,多次出國訪問與進修。
目前還擔任河北大學學術委員會副主任。近年來,彭教授主要已經先後在國內外較有影響的科技刊物上發表相關論文多篇。


圖書目錄:

第1章 緒論
1.1 納米線的研究興起
1.2 納米線的材料類型
1.3 納米線的器件應用
參考文獻
第2章 納米線的製備方法
2.1 納米線的氣相生長法
2.1.1 納米線的金屬催化VLS生長
2.1.2 納米線的金屬催化VS生長
2.2 納米線的溶液合成法
2.2.1 基於範本的溶液合成
2.2.2 無範本的溶液合成
2.3 納米線的固相生長法
2.3.1 納米線的氧化物輔助生長
2.3.2 納米線的SLS生長
2.4 納米線的宏量製備方法
2.4.1 熱絲化學氣相沉積法
2.4.2 超臨界流體法
2.4.3 等離子體直接氧化法
參考文獻
第3章 納米線的生長機制
3.1 納米線的金屬催化VLS生長過程
3.2 納米線的VLS生長熱力學
3.2.1 VLS生長中的過飽和現象
3.2.2 從金屬合金液滴成核
3.2.3 過飽和極限的熱力學估計
3.2.4 典型二元系統的相圖
3.2.5 納米線生長中的介面能作用
3.3 納米線的VLS生長動力學
3.3.1 VLS平衡動力學描述
3.3.2 直接碰撞在生長動力學中的作用
3.3.3 表面擴散在生長動力學中的作用
3.3.4 表面擴散在金屬液滴中的作用
參考文獻
第4章 納米線的形貌特徵與可控生長
4.1 納米線形貌特徵與生長工藝之間相關性的唯象描述
4.1.1 金屬催化劑的影響
4.1.2 生長速率的影響
4.1.3 環境氣壓的影響
4.2 具有各種形貌特徵的納米線
4.2.1 垂直排列納米線
4.2.2 交叉網路納米線
4.2.3 絮狀纏繞納米線
4.2.4 分支分叉納米線
4.3 納米線的可控生長
4.3.1 納米線生長方向的控制
4.3.2 納米線生長直徑的控制
4.3.3 納米線生長長度的控制
4.3.4 納米線生長形貌的控制
參考文獻
第5章 納米線的電子性質
5.1 納米線中的電子狀態
5.1.1矩形截面納米線的電子能量
5.1.2 圓形截面納米線的電子能量
5.1.3 納米線的態密度
5.2 電子結構的第一性原理計算
5.2.1第一性原理的計算優勢
5.2.2第一性原理的計算方法
5.3 Si納米線的電子性質
5.3.1 單晶Si納米線的電子性質
5.3.2 H原子飽和Si納米線的電子性質
5.3.3 價鍵弛豫Si納米線的電子性質
5.4 Ge納米線的電子性質
5.4.1 單晶Ge納米線的電子性質
5.4.2 應變調製Ge納米線的電子結構
5.4.3 Ge(112)納米線的電子性質
5.5 GaN納米線的電子性質
5.5.1 (0001)GaN納米線的電子性質
5.5.2 具有Ga和N空位GaN納米線的電子性質
5.5.3 H原子終端(0001)GaN納米線的電子性質
5.6 ZnO納米線的電子性質
5.6.1 ZnO納米線與納米管的電子性質
5.6.2 摻雜ZnO納米線的電子性質
5.6.3 具有O空位ZnO納米線的電子性質
5.7 TiO2納米線的電子性質
參考文獻
第6章 納米線場效應器件
6.1 NWFET中的載流子輸運
6.1.1 NWFET的場效應遷移率
6.1.2 NWFET的單電子輸運
6.1.3 NWFET的雜訊特性
6.2 NWFET的工作原理
6.2.1 NWFET的性能特點
6.2.2 NWFET的溝道電勢分佈
6.2.3 NWFET的亞閾值斜率
6.3 NWFET的轉移特性
6.3.1 場效應電晶體的轉移特性
6.3.2 隧穿NWFET的轉移特性
6.3.3 多柵NWFET的轉移特性
6.3.4 肖特基勢壘NWFET的轉移特性
6.4 NWFET的器件應用
6.4.1 NWFET記憶體
6.4.2 NWFET探測器
6.4.3 NWFET感測器
6.5 Si NWFET的器件集成
參考文獻
第7章 納米線場發射器件
7.1 場發射的基本原理
7.1.1 場發射電子源
7.1.2 場發射電流
7.1.3 電子發射的功函數
7.2 Si與Si化物納米線的場發射特性
7.2.1 Si納米線的場發射
7.2.2 Si化物納米線的場發射
7.3 ZnO與GaN納米線的場發射特性
7.3.1 ZnO納米線的場發射
7.3.2 GaN納米線的場發射
7.4 金屬與金屬氧化物納米線的場發射特性
7.4.1 金屬納米線的場發射
7.4.2 金屬氧化物納米線的場發射
參考文獻
第8章 納米線感測器件
8.1 納米線感測器的靈敏度
8.2 納米線化學感測器
8.2.1 納米線H2感測器
8.2.2 納米線O2感測器
8.2.3 納米線CO感測器
8.2.4 納米線NO2感測器
8.2.5 納米線其他化學感測器
8.3 納米線生物感測器
8.3.1 Si納米線DNA感測器
8.3.2 納米線病毒感測器
8.3.3 納米線其他生物感測器
參考文獻
第9章納米線發光器件
9.1 光學區域的電磁波譜
9.2 LED的工作原理與性能參數
9.2.1 LED的工作原理
9.2.2 LED的特性參數
9.3 GaN和ZnO材料的物理性質
9.3.1 GaN的物理性質
9.3.2 ZnO的物理性質
9.4 InGaN/GaN納米線發光器件
9.4.1 InGaN/GaN納米線白光LED
9.4.2 InGaN/GaN納米線綠光LED
9.4.3 InGaN/GaN納米線藍紫光LED
9.4.4 GaN納米線雷射器
9.5 ZnO納米線發光器件
9.5.1 ZnO納米線LED
9.5.2 ZnO納米線雷射器
9.5.3 ZnO納米線光探測器
9.6 GaAs納米線發光器件
參考文獻
第10章 納米線光伏器件
10.1 太陽電池的光伏參數
10.1.1 短路電流密度
10.1.2 開路電壓
10.1.3 填充因數
10.1.4 轉換效率
10.1.5 載流子收集效率
10.2 納米線的光伏特性
10.2.1 高效能量轉換性能
10.2.2 低反射率特性
10.2.3 直線電子輸運性質
10.3 Si納米線太陽電池
10.3.1 Si納米線的低反射率特性
10.3.2 Si納米線徑向pn結太陽電池
10.3.3 大面積Si納米線pn結太陽電池
10.3.4 Si納米線/聚合物混合太陽電池
10.3.5 Si納米線/肖特基結太陽電池
10.4 ZnO納米線太陽電池
10.4.1 ZnO納米線混合異質結太陽電池
10.4.2 ZnO納米線染料敏化太陽電池
10.5 TiO2納米線染料敏化太陽電池
10.5.1 有序單晶TiO2納米線染料敏化太陽電池
10.5.2 複合結構TiO2納米線染料敏化太陽電池
10.6 InP納米線太陽電池
參考文獻
中英文名詞對照表

 
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